场效应管FBM140N85参数

分类:参数大全浏览量:1125发布于:2021-06-24 04:45:54

场效应管FBM140N85参数

可以用万用表电阻档1k档检测,反正不是PNP就是NPN

是的9140的参数:PMOS 19A 100V 0.2Ω 开启电压3V左右 140的参数:NMOS 31A 100V 0.077Ω

IRFB3607 75V80A 用IRF1407可以换 75V140A 再看看别人怎么说的.

这个场效应管的参数为:N沟道、55v、80A. 功率4400W还是用老型号吧····实在找不到的话,我在帮你查查····

3AX85分为A,B,C档,以3AC85A为例,其参数为:Vceo-15V Icm-300mA Pcm-500mW hfe大于30 fhfb大于400KHz Vces小于0.4V Iceo=1000uA B档Vceo=20V C档Vceo=25V

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor

老大您太会开玩笑了,150V的功率管要找200A的,这么大电流只能用IGBT了,MOSFET还没见过如此性能的.日系里NEC有83A的2SK3479,这个是100V的 美系里Fairchild有176A的FDP036N10A,也是100V的,10万颗批发价$3.5/颗,估计你也买不到,而且离你的要求还差远.150V的漏流还要更低,基本都只有一半.其余的infineon、Vishay、STsemi我就不去找了,飞兆做不出的别人也不一定能做出来.

K2232的参数:60v 25A 35W N沟道 (用途:金属氧化物场效应组合大电流开关) 代换型号:IRFP054 60V 65A 180W N沟 IRFP140 100V 30A 150WI N沟 IRF541 80V 28A 150W N沟

型号 极性 用途 V A W ns RON IRFBC40 N-FET MOS-enh,S-L 600 6.2 125 27/30 1.2 20 25/15 2.3Ω IRF9540 P-FET MOS-enh,S-L 100 19 125 140/140 0.2Ω IRF9530 P-

应该是N沟道140a75v