高频晶体管参数

分类:参数大全浏览量:3055发布于:2021-05-10 03:24:06

晶体管主要参数,晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等.晶体管主要参数 晶体管的主要

型号:MRFE6S9125NBR1类别 分离式半导体产品 家庭 RF FET 系列 -晶体管类型 LDMOS频率 880MHz增益 20.2dB电压 - 测试 28V额定电流 10µA 噪音数据 -电流 - 测试 950mA功率 - 输出 27W额定电压 66V封装/外壳 TO-272BB供应商设备封装 TO-272 WB-4包装带卷 500PCS/(TR)

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等. ※ 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示

超高频大功率晶体管的作用是:进行高频率功率放大,具体用在:移动基站、各类通讯电台等发射机的末级功率放大,中小型广播电台、电视台的发射机的末级功率放大输出级等.用在发射机后级的功率放大上,就是后级的放大管.移动基站、车载电台等电力晶体管的场合

常用三极管参数比较多,实际应用主要是它的耐压、集电极最大允许的电流,最大耗散功率,在特出应用需要考虑特征频率与放大倍数.

题目有错,正确的问题应该是:表征场效应管放大能力的重要参数是低频互(跨)导gm. 场效应管放大起作用的条件为: fet管处于放大状态,要求很简单,就是要想办法让管子处于饱和区(fet的饱和区与三极管的饱和区定义完全不同,相当于三极管的放大区). 严格的说有两个条件: 1、保证fet管导通; 2、使管子处于饱和区,不同类型管子不一样. 对于n-jfet,具体要求是: 1、ugs(off)<ugs<0;(此条件确保导通); 2、ugd<ugs(off);(使管子处于饱和区,其中ugd=ugs-uds); 对于增强型n-mosfet,具体要求是: 1、ugs>ugs(th); 2、uds>ugs-ugs(th);(使管子处于饱和区)

最常用的是 8050 和 8550 如果是高频的话 3906 和 3904 就可以了 要考虑的参数: 工作频率 Vcbo 功耗 Ic

已知三极管型号可以查手册能够得到正确的参数,手册分为纸板、电子版两种,都可以.也可以在网上搜索.

多了去了 干什么用啊 3DG4 3DG 6 3DG 8 3DG12 3CG14 3CG15 3CG31 3CG23都是常用的老型号管 3DG56 3DG80 3DG79都是黑白电视用超高频管 9011 9018 C3353 C3355等是现在流行的高频管 还有大功率的 用在大功率调频发射机上..

三极管的频率响应特性不一样,具有高频信号放大作用的三极管叫高频三极管,一般频率响应特性在3MHZ 以上的是高频三极管,它主要用于高频放大电路里,如无线电设备的前置放大(高频)、混频电路、振荡电路电路等等,大功率高频三极管则主要用于无线电功率发射电路.