pnp管参数计算

分类:参数大全浏览量:1233发布于:2021-06-24 03:23:01

pnp管参数计算

9015 硅pnp管 用途:低频放大.vcbo=50v vceo=45v vebo=5v icm=100毫安 pcm=0.45w ft=100mh 放大倍数:60-600(a-c)

Ube=Ub-Ue Ubc=Ub-Uc 左图中 Ubc=-0.2-(-5)=4.8V Ube=-0.2-0=-0.2V 右图中 Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简单,BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通,故Ube只能是0.7V左右,另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了)

加电时,Q2基极通过R2、R3到地,电位比发射极低,足以令三极管导通,R1有电流 此时,R1压降=0.7v,则可计算出流经Q2的电流值;如Q2的放大倍数很大,则其基极

pnp的电流是从c流向e的,而npn的电流是从e流向c的,也就是说在基极和发射机之间,还有集电极和发射机之间的电流的流向是相反的.

这是三极管的参数,最大电流不能超过8安培,最高电压不能超过120伏,最大功率不能大于80瓦,任何一项超标则会损坏三极管.

第一个图不行,饱和状态Uce只有0.3V,第一图无法工作,第一图错.在驱动负载的时候,三极管必须工作在饱和状态,不要考虑什么放大倍数.计算的时候只要计算ICE的电流就可以了.放大倍数只在小信号检波放大时才有效.Ib的电流是从E到B流的,三极管Ib一般0.1mA就足以饱和导通了.这样一来UBE=0.7V+UIO=0.3V=1V,则限流电阻R=(4V-1V)/0.1=30K.因为是单片机动态扫描,IB电流要加大,这样取10K是合理的.你用放大系数去计算限流电阻,太临界,实际工作中根本不行.因为电阻有正负百分之10的制造误差的.IB只要取值在1mA左右就行了.

PNP放大电路原理和NPN放大电路原理相同,只是电源极性、偏置电流方向与NPN电路相反而已. R1、R2、R4组成基极分压偏置电路,同时R4担任交直流负反馈. 静态工作点:R1、R2、R4组成基极分压偏置电路,使R1上电压约为0.8V,则R4上电压为0.8-0.65=0.15V,Ic≈Ie=0.15/100=0.0015A=1.5mA,Uc=-6+Ic*R3=-3V. 电路所示的参数,当负电阻抗是2K时,三极管的输出负载是1K(R3与RL并联),交流负反馈电阻R4是100,因此电压放大倍数约是1K/100=10. 由于这是一个简单的单管放大电路,所以它的放大倍数随负载电阻的变化而变化.

9015 硅PNP管 用途:低频放大.VCBO=50V VCEO=45V VEBO=5V ICM=100毫安 PCM=0.45W FT=100MH 放大倍数:60-600(A-C). 半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件.它最主要的功能是电流放大和开关作用.三极管顾名思义具有三个电极.二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示).其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示).由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管.­

静态偏置电阻需要精确计算,主要的就是用电阻的分压将三极管调整到放大状态 放大状态:发射结正偏,集电结反偏,偏置电压根据三极管材料类型以及型号会有细微偏差 NPN型三极管放大状态:Vc>Vb>Ve PNP型三极管放大状态:Vc注意:上式中需要将三极管的PN结的偏置电压考虑进去 电容主要是根据电路的工作频段确定,频率越高电容值要求越小……

正确.注意它是以Vcc24V为基准电压计算的.Ub由R1和R2分压而得.R1和R2上的总电压等于Dw的电压6V,那么流过R1、R2的电流是 I:I =DW*/(R1R2) 则Ub两端的电压:Ub= I * R1=DW*R1/(R1R2) 假设Ub计算结果是3V,是指以Vcc到基极的电压是3V,若以负极(地)为基准则电压是24-3=21V.